삼성전자, 4nm 자체파운드리로 HBM4 개발전략 추진.

1. HBM :

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  HBM이란 High Bandwidth Memory의 약자인데요. 이름 그대로, 고대역폭(High Bandwidth) 메모리(Memory)란 뜻이에요. 메모리는 프로세서(ex - CPU, AP)가 요구하면 저장하고 있던 데이터를 송수신하는 역할을 해요. 점차 프로세서가 요구하는 일의 할당량이 많아졌기에 HBM이 개발되었죠. HBM의 차세대기술은 'HBM > HBM2 > HBM2e > HBM3 > HBM3E > HBM4(개발 중)'으로 보틍 'HBM+숫자'로 표시해요.

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정리

HBM(High Bandwidth Memory, 고대역폭 메모리) : 송수신 담당 for AI 프로세서

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2. HBM4 :

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  프로세서가 메모리에 송수신을 요청할 때, 바로 메모리가 작동하지 않아요. HBM 맨 아랫층에 있는 '로직 다이(Logic Die)'가 프로세서 명령을 받고 각 메모리에 전달하는 식이죠. '로직 다이' 역시 이름에서 알 수 있듯이 로직이 들어간 '프로세서'입니다. 그래서, 메모리공정이 아닌 '파운드리' 공정에서 만들어져야만 하죠. 다만, 이때까지는 기술적 난이도가 높지 않았기에 메모리업체들 자체적으로 로직 다이를 만들어왔어요. 예를 들면, SK하이닉스 파운드리 사업을 하고 있지 않지만, 로직 다이를 직접 만들었죠.

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  하지만, HBM4 부터는 이야기가 달라집니다. 전력효율, 속도, 대역폭, I/O수(Input/Output) 등 성능이 완전히 달라지기 때문에 고객사(ex - NVIDIA, AMD)의 요청에 맞게 맞춤형으로 제작을 해야하죠. 삼성전자는 로직 다이를 4nm 공정으로 제작하기로 결정했어요. 삼성전자는 파운드리 자체사업이 있기 때문에 가능한 것이죠. 반면, SK하이닉스는 파운드리가 없기 때문에 TSMC와 손잡았습니다. 업계에서는 SK하이닉스-TSMC는 '5nm' 공정을 사용할 것으로 예상하고 있어요.

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삼성전자가 4nm를 선택한 이유는 간단합니다. HBM에서 경쟁사 대비 밀리고 있기 때문이죠. 사실, 기존 7nm를 사용하여 로직 다이를 만드는 것이 수율면에서는 더 '안정적'입니다. 7nm의 수율은 90% 이상이 나오고 있어 만들면 수익이라고 할 수 있죠. 반면, 4nm는 수율이 60~70% 정도 나오고 있어요. 하지만, 삼성전자는 4nm로 갤럭시S24 엑시노스2400를 만들어봤기에 수율 가능성은 충분하다고 봅니다.

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정리

삼성전자 HBM4 전략 : 4nm for 로직 다이

* 로직 다이(Logic Die) : 프로세서 for HBM

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HBM에서 뒤쳐진 삼성. 과연, 내년 HBM4 격전지에서 승리할 수 있을까요?

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