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반도체_전공정장비/CVD, ALD

유진테크, 3D 낸드 + High-K 증착장비 둘 다하는 업체. 다만, SK하이닉스에 찍힌 것은 문제(쉽게설명!!)

유진테크 사업

· 반도체 전공정 증착장비 : LPCVD(Low Pressure), (PE) ALD / 내수 61.6%, 수출 38.4%
· High-K 전용 전구체 : 하이드로퓨란(THF: TetraHydroFuran)  / 내수75%, 수출25%

SP : Surface Protection으로 역설적으로 너무나 증착이 잘되는 윗면에 SP을 발라서 옆면과의 증착속도를 맞추는 것이다./ 22년 기준 / 단위 : 백만원



기회
· LP CVD > ALD 증착장비로 ASP 높은 장비로 포트 다변화 중
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리스크
· 반도체 소재 High-K 증착물질 전구체 경쟁사 출현(SK트리켐, 유피케미칼)
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업데이트 :



NAND용 증착장비 매출비중이 높다가 DRAM용 매출비중이 압도적으로 높아진 것을 볼 수 있음. 최근 3D NAND 시장 성장으로 NAND 비중 다시 높아지는 중. 여기서 핵심은 3D NAND와 Higk-K(DRAM용) 둘다 증착장비 공급이 가능하다는 점.

출처 : 유진테크 IR자료


주주구성(22년말 기준) :

 


유진테크

 

유진테크는 반도체 전공정에 들어가는 증착장비인 LP CVD, ALD장비를 제작 및 판매하는 업체에요. 또한, 반도체 소재사업도 하고 있는데요. 반도체 DRAM 캐패시터용 High-K 박막 증착에 필요한 전구체도 생산하고 있습니다. 증착장비를 만드는 동사가 장비에 들어가는 전구체를 생산한다는 것은 어떻게보면 자연스럽습니다. 다만, 고객사였던 SK하이닉스가 판매가격이 마음에 안들었는지 SK트리켐, 유피케미칼에 전구체생산 주문을 넣은 상태입니다.

 

고압에서 진행되는 반도체증착공정을 낮은 압력에서 증착할 수 있게 한 것이 LP CVD입니다. 물론, LP CVD 단점을 커버하기 위한 ALD 장비도 있습니다.

LP CVD : 화학적 기상 증착방식


  LPCVD는 Low Pressure Chemical Vapor Deposition의 약자에요. 말 그대로 낮은 압력에서 화학적 증착방식으로 증착하는 것이죠. 참고로, 제가 올린 '반도체 증착공정 쉽게'보기를 안본 독자들은 꼭 보고오길 추천해요.  

ALD : 원자층 증착방식


  LP CVD 방식은 저압으로 낮은 비용으로 화학적 증착방식을 할 수 있다는 장점은 있지만, 세밀하지는 못해요. 불순물 오염정도도 높죠. 반면에, ALD방식은 원자단위로 증착을 하기 때문에 박막 도포성과 두께조절이 원활합니다. 불순물 오염도 거의 없고요. 그래서, ALD 장비가 ASP가 비싼 것으로 알려져있습니다.

만든이 : LSNB

유진테크는 반도체 소자인 전구체도 만드는데요. AR(Aspect Ratio)이 높아져서 High-K 물질을 측면에 증착하기 어려워지자, 너무나 증착이 잘되는 윗면에 오히려 보호소재를 발라 윗면과 옆면의 증착 속도를 맞추는 것이 목적입니다. 이러한 보호소재를 생산하는 것이죠.

AR(Aspect Ration)가 쏘아올린 큰 공 :


  D램 같은 경우 Capacitor에 전하가 채워져 있냐 없냐에 따라서 0과 1을 구분하는데요. 문제는 최근 D램의 회로가 계속 미세화되다 보니 Capacitor의 자리가 부족해진다는 것입니다. 바닥면적은 좁아져서 할 수 없이 초고층 빌딩 쌓듯이 위로 가고 있는데요. 이 비율을 Aspect Ration(종횡비)라고 해요. 바닥면적 대비 높이의 비율인 셈이죠. 높이가 초고층 빌딩처럼 쏘아올라가다 보니 AR비율이 계속 높아지는 추세입니다.

  이렇게 높아진 디램에 High-K 같은 유전물질을 증착해줘야하는데, 겨울에 눈이 내리면 지붕에는 쌓이는데 벽면에는 안쌓이 듯 증착이 균일하지 못하는 문제가 생겼어요. SK하이닉스는 하이드로퓨란(THF: TetraHydroFuran)이라는 보호물질을 증착이 너무 잘되는 위쪽면에 바르기 시작했는데요. 이유는 보호물질로 막아놓으면 위에는 덜 쌓일 것이고 옆 면은 보호층이 없기에 그나마 윗면이랑 속도조절을 할 수 있기 때문이에요. 이러한 물질명을 SK하이닉스는 SP(Surface Protection)이라 부릅니다. 아래 연구실적 볼 때 SP 볼 수 있을거에요. 물론, 단독 공급은 아니고 주요 경쟁사로는 SK트리켐, 유피케미칼 등이 있습니다. 한 소식통으로는 유진테크가 비싸게 하이드로퓨란을 팔아먹어서 SK하이닉스에서 공급처를 다변화했다고 합니다.


연구실적으로 보는 유진테크의 현 주소 :


  개인적으로 유진테크의 연구실적과 연구계획을 보면 현 상황과 미래 비전을 볼 수 있다고 생각을 하는데요. 같이 몇 개만 살펴볼까요.

  3D NNAD는 반도체 집적도를 획기적으로 높일 수 있기 때문에 요즘 가장 핫한 아이템이죠. AR(Aspect Ration, 바닥 면적 대비 높이)가 높아져서 ALD도 그만큼 많이 필요하게 되는데요. 이것을 Batch(일괄)형식으로 원자증착방식 할 수 있는 연구개발을 끝내고 시장에 내놓은 것을 알 수 있습니다. 또한, D램 반도체의 미세화로 플라즈마 방식의 ALD 증착방법도 일괄적으로 할 수 있게 R&D에 성공하여 시장에서 판매중입니다


  이번엔 진행중인 연구를 봐볼까요. LPCVD 질화규소(SiN)는 실리콘과 질소가 합해진 박막을 증착하는 것이에요. 커패시터의 주요 절연막 소재이죠. 이것을 LPCVD 방식으로 증착하는 방식을 연구개발중인 것으로 나와있습니다.

TiN ALD 장비라는 말을 볼 수 있는데요. TiN은 티타늄과 질소가 결합된 소재인데요. 유진테크의 TiN ALD장비는 10nm급 D램 내부 커패시터의 전극막 형성을 위한 장비에요. D램의 Cell은 하나의 트랜지스터와 커패시터로 구성되어있어요. 커패시터는 전기가 통하지않는 절연막의 양 극단을 전기가 통하는 전극막이 감싸는 구조로 되어있는데요. 반도체 공정의 급격한 미세화로 D램의 칩 사이즈가 점차 줄어들면서, 전극 및 절연층 또한 막을 더 얇고 균일하게 증착하는 것이 중요해지고 있습니다.


CVD, ALD 장비를 제작하는 경쟁사 '주성엔지니어링 쉽게보기', '원익IPS 쉽게보기'를 읽고 더 많은 투자아이디어를 얻길 바랍니다.

유진테크에 대한 지속적인 업데이트는 맨 위 상단을 참고하면 유익합니다 :)