테스 사업
· 메모리향 PECVD(플라즈마 화학적증착장비) : ACL(Amorphous Carbon Layer), ARC(Anti Reflection Coating)
· 비메모리향 GPE(Gas Phase Etcher) : 건식세정장비(비메모리향)
· 신규장비 BSD(Back Side Deposition), Low-K :
기회
· 메모리에서 비메모리향 반도체장비 매출 다변화 중
· BSD(Back Side Deposition, 웨이퍼 휘어짐 방지), Low-K 신규장비
· 비메모리향 GPE(건식세정장비) 삼성전자 퀄 테스트 통과. 향후 Capex 투자 시 수주 예상.
· 자사주는 지속적으로 매입하지만, 소각은 하지 않는 상태.(17년 자사주 1.43% > 22년 11.3%)
리스크
· NAND장비사로 시장에서 인식되어와서 Peer 대비 벨류 저평가 받아옴
· 주요경쟁사 Applied Materials, Lam esearch, Tokyo Electron 등 외산장비업체
· 삼성전자(53%), SK하이닉스(47%) 높은 의존도
업데이트 :
주주구성(22년말 기준)
테스
테스는 반도체 전공정에 해당하는 증착장비를 생산하는 업체입니다. 물론, 디스플레이 장비도 공급하지만 규모가 미미해요. 동사의 주력 반도체장비는 PECVD장비군과 Dry Cleaning 장비로 주요 고객사는 삼성전자와 SK하이닉스입니다. 특히, 메모리장비에 치중되어있는데요. PECVD장비인 ACL(Hard Mask 증착용), ARC(빛반사 방지)가 있습니다. 비메모리로는 GPE(건식세정장비)가 있고요. 최근들어 PECVD를 이용한 BSD(웨이퍼 휘어짐 방지), Low-K(전류 신호 빠르게) 전용 장비를 개발하였습니다. 정리하자면, 반도체장비사인 테스의 주력은 메모리향이고 이에 멈추지 않고 비메모리(GPE), 신규장비(BSD, Low-K)까지 포트폴리오를 다변화하고 있는 상황입니다.
메모리향 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) : ACL PECVD, ARC PECVD장비가 있음
테스의 주요 장비는 PECVD인데요. PECVD란 Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition의 약자로 플라즈마를 이용한 화학적증착방식으로 불리죠. 아직, 제가 올린 '반도체공정 증착편'을 보지 않았다면 꼭 보고 오는 걸 추천해요. 아무튼, 플라즈마 에너지를 얻은 웨이퍼의 소자들은 낮은온도에서도 증착이 가능하기 때문에 플라즈마 증착방식이 주로 쓰이고 있어요. 원리는 간단해요. 플라즈마를 만들 때 생성되는 양이온, 음이온, 전자, 라디칼 중 반응이 활발한 라디칼(Radical)을 이용하기 때문이죠. 반도체공정에서 400도는 상대적으로 저온인데요. 400도 안에서 라디칼이 다른 원소와 화학적으로 잘 결합합니다.
1) ACL(Amorphous Carbon Layer) PECVD :
참고로, PECVD는 증착방식의 보통명사이구요. 테스의 장비이름은 ACL로 불려요. ACL은 Amorphous Carbon Layer의 약자인데요. Amorphous는 구조화된 것이 아닌 비구조화, 즉 비정형적이란 뜻이에요. 말 그대로, 무자비하게 카본층들을 형성시키는 증착장비라는 것이죠. ACL장비는 Hard Mask 증착에 주로 사용되며 3D NAND 고단화로 인해 NAND에서 활용도가 높습니다(HAR, High Aspect Ration 비율 높아지는 중). 참고로, Hard Mask는 패터닝에 사용되는 필름인데요. 점차, 반도체가 적층이 되면서 높이가 높아지고 있는데요. 점점 그 위에 회로를 새기는 것이 힘들어지고 있어요. 높이가 높아져도 회로 패터닝이 잘 새겨질 수 있게 하는 것이 Hard Mask의 역할이고 이를 만들어주는 것이 ACL장비인 것입니다.쓰러지지 않게 지지해주는 역할인 것이죠.
2) ARC(Anti Reflection Coating) PECVD :
ALC장비 말고도 ARC PECVD장비도 있는데요. ARC는 Anti Reflection Coating의 약자에요. 말 그대로 빛의 반사(Reflection)을 막아(Anti)주기 위한 코팅(Coating)을 하는 것이죠. 빛이 반사되면 패터닝을 할 때 눈부셔서 헷갈리겠죠. 이를 방지해주는 것이 ARC PECVD장비입니다.
비메모리향 : GPE(Gas Phase Etcher)
GPE(Gas Phase Etcher) : 건식세정장비
테스는 Dry Cleaning 장비도 생산하는데요. GPE이라고 불립니다. GPE란 Gas Phase Etcher의 약자로 말 그대로 가스(건식)로 세정하는 장비이죠. 참고로, 건식세정방식을 사용하는 이유는 3D낸드와 관련이 있는데요. 3D낸드는 위로 계속 쌓아올리면서 반도체밀도를 높이는 것이죠. 이 적층사이에는 Via Hole이라 불리는 구멍이 연결선 역할을 하는데, 이 작은 구멍으로는 습식세정액이 들어가면서 모두 세정하기에는 힘들기 때문이에요. 그래서, 공중에 떠다니면서 세정할 수 있는 건식세정방식이 선호되고 있는 것이죠.
참고로 GPE장비는 삼성전자 Logic향 테스트를 통과했으며 삼성전자가 Capex를 증가시킬 때 수요가 일어날 것으로 예상됩니다.
BSD(Back Side Deposition), Low-K : 신규장비
메모리장비업체는 시장규모가 크지 않아서(비메모리7, 메모리3) 저평가를 받아왔는데요. 건식세정장비인 GPE뿐만 아니라 신규장비인 BSD, Low-K장비도 테스는 생산하기 시작했어요.
1) BSD(Back Side Depositon) : 응집력에 의한 웨이퍼휘어짐 방지
반도체공정은 웨이퍼의 양면을 사용하는 것이 아닌 단면을 사용하여 패터닝을 하는 것이에요. 그러면, 위쪽면만 무거워지겠죠. 그 결과, 양면의 응력이라는 웨이퍼가 휘는 현상이 발생해요. 참고로, 응력이란 외부에서 힘이 주어지면 내부에서 이에 저항하는 힘이 작용하는데, 이를 응력이라 합니다. 이러한 응력차를 줄여주기 위해 BSD가 쓰이는데요. BSD는 Back Side Deposition의 약자인데요. 즉, 반대면이 섭섭하지 않게 박막을 입혀줘서 응력을 최소화 시켜주는 것입니다. 그러면, 응력차가 생기지 않아 웨이퍼가 휘는 현상이 발생하지 않게되겠죠.
이 역시 3D NAND에서 계속 수요가 증가할 것으로 예상이되며 22년 SK하이닉스로부터 인증을 받았고 삼성전자는 테스트 진행중에 있습니다.
2) Low-K : 절연막소재이자 전류빠르게 흐르게하도록
Low-K는 반도체 업계에서 가장 보편적으로 사용되는 절연막 소재인 SiO2(실리콘옥사이드, 절연특성이 있어서 산화막으로 쓰임) 대비 유전율이 낮은 물질을 뜻하는데요. 유전율이란 동일한 전압을 가했을 때 전하를 얼마나 더 많이 저장할 수 있는지를 나타내는 척도에요. Low-K는 'Low' 해석 그대로 낮은 유전율을 뜻하죠. 즉, Low-K에 전압을 주면, 전하를 많이 저장하지 않는 것이죠.
그럼 왜 Low-K를 사용할까요? 전하를 많이 저장하지 않다보니 몸이 가볍겠죠. 즉, 신체의 비유하자면, 몸이 혈액을 빨리빨리 내보내기 때문에 순환율이 빠릅니다. 이것을 그대로 전류에 적용을 하면, 전류가 빨리 흐른다고도 할 수 있죠. 그래서, 오히려 점점 미세화, 정밀화되어가는 반도체 사이에 이러한 절연기능도 갖추고 전류속도도 빠른 Low-K의 수요가 증가하고 있는 것입니다. 여기서 테스는 Low-K 물질을 증착하는 장비를 개발한 것이고요. 특히, Low-K 물질을 얹을 때 플라즈마화학증착 방식인 PECVD로 장비개발을 한 것입니다.
연구실적으로 보는 테스의 현주소 :
개인적으로 테스의 연구실적과 연구개발을 보면 현상황과 미래비전이 보인다고 생각을 하는데요. 같이 몇 개만 살펴볼까요.
첫 번째 연구개발을 보면 a-Si PECVD 장비를 볼 수 있는데요. 기존 ACL과 차별화된 Hard Mask증착이 목적이라고 동사는 설명하고 있어요. Hard Mask는 앞서 설명했듯, 회로를 그리는데 필요한 패터닝 필름이라고 했었죠. 점차, 3D 낸드처럼 층수가 높아지니 젠가 쌓듯이 불안정해지고 있는데, Hard Mask가 패터닝을 하는데 도움을 주고 있는 것이죠. 비정형실리콘을 이용한 a-Si PECVD가 좀 더 괜찮나 봅니다.
절연막 역할과 전류를 빠르게 흘려보내는 Low-K 수요가 증가하고 있다고 했는데요. 21년 테스는 이러한 Low-K를 PECVD 공법으로 증착시키는 것을 개발했습니다. 마지막으로, BSD PECVD인데요. BSD는 Back Side Deposion의 약자였던거 기억하죠? 웨이퍼 한 면에만 패터닝이 되고 각종 소자들이 올라가니 응집력이 생겨서 반대쪽 웨이퍼면이 휘는 현상이라고 했는데요. 이를 방지해주는 것이 BSD PECVD장비였죠. 최근들어 신규장비를 론칭했다고 했는데, 연구실적을 보면 거짓말이 아닌 것을 확인할 수 있어요. 다만, 삼성전자에게 퀄 테스트 합격을 받아야 본격적으로 납품이 가능하기에 지켜봐야할 것 같아요.
테스가 PECVD공법으로 증착을 하면 유해가스가 필수적으로 발생이 되는데요. 이러한 유해가스를 제거해주는 장비를 납품하는 업체가 각광을 받고 있습니다. 제가 올린 'GST 쉽게이해하기'를 보고 투자아이디어를 얻으세요.
테스에 대한 지속적인 업데이트는 맨 위 상단을 참고하면 유익합니다 :)
'반도체_전공정장비 > CVD, ALD' 카테고리의 다른 글
| 유진테크, 3D 낸드 + High-K 증착장비 둘 다하는 업체. 다만, SK하이닉스에 찍힌 것은 문제(쉽게설명!!) (2) | 2023.10.07 |
|---|---|
| 원익IPS, 3D NAND, High-K 증착장비 모두 납품할 수 있는 업체 (쉽게 설명!!) (0) | 2023.07.31 |
| 주성엔지니어링, High-k 증착장비로 살아남을 기업 같습니다만..(쉽게설명!!) (0) | 2023.07.31 |
