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반도체부품

시지트로닉스, 정전기방지, 전력소자, 센서소자 들어본 적있나요? 희망적(쉽게설명!)

시지트로닉스 사업

ESD(60%, 고전압으로 인한 정전기방지), Power Diode(26%, 전압,주파수,직류변환), Sensor Diode(8%, 광신호 to 전기신호), Foundry(6%, Si, SiC, GaN 기반=Epi공정)

· ESD(Electro Static Diode) : 과도한 전압으로 발생하는 정전기 차단 > 종류 : TVS, Zener, BD-TVS, FC-TVS 

* TVS(Transient Voltage Suppression) diode : 일시적 전압 억제  

* BD(Bidirectional)-TVS diode : 양방향 전압 일시적 억제 

* FC-TVS diode : 플립칩형태용 일시적 전압억제 

* Zener diode : 전류를 역방향으로 흐르게해 전압억제

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· Sensor diode : 광신호를 전기신호로 변환해주는 역할 > 종류 : P-TR, BB-PD, APD 

* P-TR(Photo Transistor) : 범용적으로 쓰이는 Sensor 소자 

* BB-PD(Broad Band Photo Diode) : 넓은 대역폭(녹색~적외선) 동시 센싱가능 > 사용처 : 스마트워치, 스마트링 

* APD(Avalanche Photo Diode) : 쇄도하는(Avalanche) 빛을 센싱하여 전기신호 > 사용처 : LiDAR 자율주행차량

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· Power Diode(파워 소자) : 전기에너지 사용을 위한 환경조성 > ex : 전압, 주파수 조절, 교류전기를 직류전기로 변환 

* 원재료 : Si, SiC, GaN 

* SiC(Sillicon Carbide, 실리콘카바이드), GaN(Gallium Nitride, 질화갈륨) : 화합물 전력반도체 > 고전력, 고효율, 고내열성 요구로 수요 증가 

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· Foundry : 6~8 Inch 웨이퍼에 Epi공정 > Si, SiC, GaN 기반 반도체소자 중심 파운드리서비스 

* Epitaxial : 기판 위에 다른 결정질 층을 형성하는 것

 

단위 : 백만원

 

 

기회

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리스크

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업데이트

 

 

주주구성(23.12월 기준) : 

 

 

 


 

 

시지트로닉스 

 

 

1. ESD(Electro Static Discharge) : 고전압으로 인한 정전기 차단 

 

  ESD(Electro Static Discharge)는 정전기와 같이 과도한 전압이 생겨 주변기기에 간섭이생길 때, 억제하는 기능을해요. 즉, 전자기기 내부에서 회로를 보호하기 위해 필수적으로 쓰이는 소자입니다. 특히, 최근에는 반도체의 소형화, 집적화가 진행되면서 정전기가 회로에 방해를 주는 경우가 더 심해졌는데요. 그래서, 더욱 더 회로를 보호하기 위한 ESD가 필요하죠. 

 

  시지트로닉스가 생산하는 ESD 제품으로는 기존 제품인 TVS diode, Zener diode가 있어요. TVS diode는 Transient Voltage Suppression의 약자로 순간적으로 정전기를 차단해주는 역할을 해요. Zener diode는 전류를 역방향으로 흐르게해 전압을 낮추는 것이고요. 신제품인 BD-TVS diode, FC-TVS didoe가 있어요.BD는 Bidirectional을 의미하는데요. 즉, 기존 TVS가 일방향이었다면, 양쪽방향으로 정전기를 차단해주는 것이죠. FC는 TVS를 뒤집은 형태(Flip-Chip)로 만든 소자에요. 

 

 

정리 

ESD(Electro Static Diode) : 과도한 전압으로 발생하는 정전기 차단 > 종류 : TVS, Zener, BD-TVS, FC-TVS 

* TVS(Transient Voltage Suppression) diode : 일시적 전압 억제  

* BD(Bidirectional)-TVS diode : 양방향 전압 일시적 억제 

* FC-TVS diode : 플립칩형태용 일시적 전압억제 

* Zener diode : 전류를 역방향으로 흐르게해 전압억제 

 

 

 

2. Sensoer diode : 광신호를 전기신호로 변환

 

  시지트로닉스는 Sensor diode(센서 소자)도 만들어요. 동사의 Sensor 소자는 빛(광)을 인식하여 전기적 신호로 변환하는 기능을 해요. Sensor 소자는 리모콘, 자동문, 광톤신, 디지털 카메라 등에 쓰여요. 동사의 기존 제품인 P-TR(Photo-Transistor)가 담당을 하죠. 

 

  새롭게 출시한 Sensor 소자도 있습니다. BB-PD, APD이죠. BB-PD는 Broad Band Photo Diode의 약자로 광대역(Broad Band)으로 작동하여 다양한 파장(녹색~적외선)을 동시에 감지할 수가 있어요. 사용처는 스마트워치, 스마트링 등이 있죠. 

  APD는 Avalanche Photo Diode의 약자로 많은 양(Avalanche)의 빛을 인식하는 센서입니다. 다량의 빛을 인식하는 자율주행 특히 LiDAR를 기반으로하는 자율주행 차량에 필수적으로 쓰입니다. LiDAR 차량은 레이저를 쏴서 돌아오는 빛을 인식하는 것인데, 주행 중 상당한 양의 빛을 인식을해야하니깐요. 

 

Sensor Diode

 

 

정리 

Sensor diode : 광신호를 전기신호로 변환해주는 역할 > 종류 : P-TR, BB-PD, APD 

* P-TR(Photo Transistor) : 범용적으로 쓰이는 Sensor 소자 

* BB-PD(Broad Band Photo Diode) : 넓은 대역폭(녹색~적외선) 동시 센싱가능 > 사용처 : 스마트워치, 스마트링 

* APD(Avalanche Photo Diode) : 쇄도하는(Avalanche) 빛을 센싱하여 전기신호 > 사용처 : LiDAR 자율주행차량

 

 

 

3. Power Diode(파워 소자) : 전기에너지를 쓰기 위한 전압,주파수,전류전환 

 

  시트로닉스는 Power Diode도 생산을 해요. Power 소자의 역할은 전기에너지를 사용하게 환경을 만들어주는 것이에요. 예를 들면, 전기를 쓰기 위해 디바이스에 맞는 적절한 전압, 주파수로 바꿔주거나 교류전기를 직류전기로 변환시켜줍니다. 

 

  Power Diode는 보통 실리콘으로 만드는데요. 그런데, 점차 많은 전력을 필요로 하는 장치들이 증가하면서 실리콘 파워 소자로는 고전압과 고열을 견딜 수 가 없게 되었어요. 그래서, 화합물 형태인 GaN(Gallium Nitride, 질화갈륨), SiC(Sillicon Carbide, 실리콘카바이드)로 Power Diode를 만드는 중입니다.  

 

 

정리 

Power Diode(파워 소자) : 전기에너지 사용을 위한 환경조성 > ex : 전압, 주파수 조절, 교류전기를 직류전기로 변환 

* 원재료 : Si, SiC, GaN 

* SiC(Sillicon Carbide, 실리콘카바이드), GaN(Gallium Nitride, 질화갈륨) : 화합물 전력반도체 > 고전력, 고효율, 고내열성 요구로 수요 증가 

 

 

4. Foundry

 

  동사는 ESD(Electro Static Diode), Sensor Diode, Power Diode 등 반도체와 관련한 것들을 만들다 보니 Foundry 사업도 자연스레 할 수 있게 되었어요. 동사는 웨이퍼 6~8 inch에 들어가는 반도체 소자를 주력으로 만들고 있죠. 동사의 Foundry는 Epi공정에 집중을 하고 있는데요. Epi공정이란 Epitaxial의 줄임말로 기판 위에 다른 결정질 층을 형성하는 과정을 의미해요. GaN, SiC 화합물반도체는 두 개 이상의 물질이 섞인 것으로 Epi공정이 필수적이죠. 

 

 

정리 

Foundry : 6~8 Inch 웨이퍼에 Epi공정 > Si, SiC, GaN 기반 반도체소자 중심 파운드리서비스 

* Epitaxial : 기판 위에 다른 결정질 층을 형성하는 것

 

 

 

연구실적으로 보는 시지트로닉스의 현 주소

 

  개인적으로 시지트로닉스의 연구실적과 연구계획을 보면 동사의 현 상황과 미래 비전이 보인다고 생각을 하는데요. 같이 몇 개만 살펴볼까요. 

 

   FET=Foundry 동일하다고 보면 되는데요. 전기신호인 1,0 스위치 버튼을 작동시키기 때문이죠(반도체가 일하는 방식). FET은 Field Effect Transistor의 약자로 트랜지스터가 얼마나 넓은 공간(Field)로 효과(Effect)를 내는지 의미에요. 자세한건 'FinFET에 대한 모든 것'을 참고하길 바랄게요. 트랜지스터 뿐만 아니라 소자(Diode)를 만드는데 있어서 기존 실리콘웨이퍼가 아닌 질화갈륨(GaN)기반에서 제조하는 것을 R&D 투자중인 것을 알 수 있어요. 

 

 

 


 

 

시지트로닉스에 대한 지속적인 업데이트는 맨 위 상단을 참고하면 유익합니다 :)