삼성전자, 드디어 HBM3E 엔비디아 퀄테스트 통과(+HBM설명)

뉴스속보 : 뉴데일리 경제에서 단독으로 삼성전자 HBM3E가 엔비디아향 퀄테스트 통과했다고 보도.

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1. HBM3E(High Bandwidth Memory Enhanced) :

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HBM이란 영어로 High Bandwidth Memory의 약자로 이름 그대로 '고대역폭(High Bandwidth) 메모리(Memory)'를 뜻해요. 여기서, 대역폭이란 '주파수(신호폭)'을 의미하고 앞에 '고(High)'가 붙었으니 '높은 주파수'를 뜻하죠.

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AI는 빅데이터를 참고하여 학습, 추론을 하기 때문에 이러한 빅데이터를 저장하고 빠르게 보내줄 수 있는 메모리가 필요하죠. 그래서, HBM 처럼 DRAM을 수직층으로 쌓아올려 대역폭을 높인 것이 필수적으로 필요해요. 여기서, 삼성전자의 HBM3E 퀄테스트는 HBM경쟁력을 보여주었다고 할 수 있습니다.

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HBM도 시간이 지남에 따라 기술진화를 했는데요. HBM > HBM2 > HBM2E > HBM3 > HBM3E이죠. 기술진화의 핵심은 '대역폭'의 증가량입니다. 예를 들면, HBM2E의 핀 속도 3.6Gbps vs.6.4Gbps(HBM3)입니다. 핀(Pin)이란 '전기접점'을 의미해요. 스마트폰 충전기 생각하면 돼요. 5핀, 8핀(아이폰전용)이 있죠. 5개의 전기접점, 8개의 전기접점이 있다는 뜻입니다. 전기접점이란 전기가 통하는 길이니 많을 수록 전하가 더 많이 흐를 수가 있겠죠. 그래서, 애플이 8핀을 포기못한 것이고요. 여기서 중요한 점은 핀의 개수도 중요하지만, 핀을 통해 전하가 흐르는 '속도' 역시 중요합니다. 앞서 핀속도가 HBM3가 6.4Gbps가 나온다고 했죠. 64억개의 비트가 1초당 흐를 수 있다는 뜻이에요. 반면 HBM3E는? 'E'가 'Enhanced(향상된)'이라는 뜻이니 더 빠르겠죠. HBM3E의 속도는 8Gbps입니다. 그래서, 삼성전자 HBM3E의 퀄테스트 통과는 매우 중요한 사건이에요.

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정리

HBM(High Bandwidth Memory) : 고대역폭 메모리 > 역할 : 메모리 저장+전송 기능 for AI칩

*HBM 세대변화 : HBM > HBM2 > HBM2E > HBM3 > HBM3E > HBM4(R&D 중)

핀 속도 : 다이(Die)의 개별 속도 > ex - 6.4Gbps(HBM3) vs. 8Gbps(HBM3E)

* 핀(Pin) : 전기접점(전하가 흐르는 곳)

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2. HBM 속도 :

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핀 속도가 개별 다이(Die)의 속도이죠. 그러나, HBM은 디램을 수직으로 적층한 것이에요. 그러면, 종합속도가 나오겠죠. 즉, 개별 다이들의 속도를 종합한 것이 '스택 속도'입니다. 스택(Stack)이란 적층을 의미하니 직관적이에요. HBM3E의 핀 속도는 8Gbps였어요. 핀의 개수는 1024개가 들어가있어요. 그러면, '속도 x 핀 개수'를 하면 되겠죠. '8Gbps vs. 1024 = 8192Gbps'입니다. 이를 'b(bit, 비트)'가 아닌 'B(Byte)'로 표현하고 싶으면, 나누기 8을 해주면 됩니다. '8192Gbps / 8 = 1024GB/s'가 나오죠. 그래서, HBM3E에 대한 기사를 볼 때, '1024GB/s'라는 수치가 자주 등장했던 것이에요. 1024GB/s란 1초에 1024기가바이트의 메모리가 이동할 수 있다는 뜻입니다.

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3. 결론 : 삼성전자 주가 재평가

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결론적으로 삼성전자의 주가는 재평가될 가능성이 아주 높습니다. 현재 PBR 1.3~1.4 사이에서 주가가 형성되어있는데요. 이는 역사적 밴드 평균에 해당해요. HBM 투자로 Legacy DRAM의 캐파가 축소되어서 오히려 범용 DRAM의 가격이 올라가고 있는 상황이에요. 이러한 상황에서 범용DRAM으로만으로도 현 PBR을 넘을 수 있는 영업이익을 기록할 수 있습니다. 여기에 HBM3E 엔비디아 퀄테스트까지 통과되었으니 SK하이닉스가 받고 있는 PBR 2.x까지는 같은 선상은 아니어도 근사치까지는 접근할 수 있을 것으로 전망해요.

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